4英寸金刚石“自支撑”超薄膜快速制备成功实现

发布时间：2026-04-28 来源：雷嗔电怒网作者：铁卫乌姆蒂蒂

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【环球网科技综合报道】11�日消息，根据中国科学院官网信息，金刚石具有优异的导热和绝缘等性能，成为新一代大功率芯片和器件散热的关键材料。将芯片直接与金刚石键合来降低结温，被视为高性能芯片𴗧D封装的理想热管理方案。通常，金刚石薄膜合成是以Si作为基板材料，合成后通过化学刻蚀去除Si基板进而得到金刚石“自支撑”薄膜。

此前，中国科学院宁波材料技术与工程研究所研发团队，制备出超低翘曲񊄬英寸金刚石“自支撑”超薄膜。

近期，该团队在金刚石超薄膜高效剥离技术上再次取得进展，发展𳏈英寸级超低翘曲金刚石超薄膜的“自剥离”技术。通过对金刚石薄膜初期形核、生长的精准调控与工艺创新，合成后񊄬英寸金刚石膜（厚度

同时，团队�MHz大功率MPCVD的金刚石沉积面积扩展�英寸，实现了低应力、超低翘񀕸英寸金刚石薄膜的单񀡉片同时合成。结合上述高效“自剥离”技术，为“自支撑”金刚石薄膜的工业化批量生产奠定了装备与工艺基础。（青云）